DH-350 PECVD等離子體增強化學氣相沉積設備銷售【上海雙旭】
上海雙旭DH-350 PECVD等離子體增強化學氣相沉積設備
產品概述
DH-350 PECVD（等離子體增強化學氣相沉積）設備由上海雙旭電子有限公司設計制造，適用于在半導體、微電子、光學及材料研究等領域沉積高質量的二氧化硅（SiO2）、氮化硅（Si3N4）等薄膜。該設備利用射頻（RF）等離子體增強化學反應，可在相對較低的溫度下實現(xiàn)薄膜的高效、均勻沉積。
主要技術參數(shù)
- 反應室尺寸：直徑350mm（可根據(jù)客戶需求定制）
- 沉積溫度范圍：室溫 ~ 400°C（可調）
- 真空系統(tǒng)：分子泵組，極限真空 ≤ 5.0×10-5 Pa
- 射頻電源：13.56MHz，功率0~1000W可調
- 氣體通道：標配4路質量流量計（MFC）控制，可擴展
- 沉積速率：SiO2典型值 30-100 nm/min（可調）
- 薄膜均勻性：≤ ±5%（片內均勻性）
- 控制系統(tǒng)：PLC+觸摸屏，支持自動/手動操作模式
- 設備尺寸（約）：1500mm (L) × 1000mm (W) × 1800mm (H)
使用注意事項
- 安全操作：設備涉及高壓射頻、高溫及特種氣體（如SiH4、NH3等），操作人員必須經過專業(yè)培訓，嚴格遵守安全規(guī)程，佩戴防護裝備。
- 環(huán)境要求：設備應安裝在潔凈度較高的環(huán)境中（建議萬級或更高），避免震動和強電磁干擾，保持室溫20-25°C，濕度≤60%。
- 氣體管理：所有工藝氣體需使用高純度等級（≥99.999%），管路必須嚴格檢漏，可燃/有毒氣體應配備泄漏檢測與應急排風系統(tǒng)。
- 真空維護：定期檢查密封圈、泵油及過濾器，避免污染物進入反應室，影響薄膜質量與設備壽命。
- 工藝調試：沉積前需進行充分的工藝參數(shù)優(yōu)化（如功率、壓力、氣體比例），建議使用監(jiān)控片測試均勻性與折射率。
- 日常維護：按手冊進行定期保養(yǎng)，包括清潔反應室、校準MFC、檢查射頻匹配器等，并記錄維護日志。
- 應急處理：熟悉急停按鈕位置，遇異常放電、氣體泄漏或真空失效時立即停機，并啟動應急預案。
應用領域
適用于半導體器件鈍化層、光學增透/反射膜、MEMS封裝、太陽能電池減反射涂層、硬質保護膜等領域的薄膜制備。
注：具體規(guī)格以實際合同配置為準，操作前請務必詳細閱讀官方說明書。 |
