DHDP系列 射頻CCP薄膜沉積裝置廠家【上海雙旭】
上海雙旭DHDP系列射頻CCP薄膜沉積裝置
廠家：上海雙旭電子有限公司
上海雙旭電子有限公司是一家專注于真空鍍膜設(shè)備、等離子體處理設(shè)備及配套電源研發(fā)與制造的高新技術(shù)企業(yè)。其DHDP系列射頻電容耦合等離子體（CCP）薄膜沉積裝置，主要用于半導(dǎo)體、微電子、光學(xué)、新材料等領(lǐng)域的高質(zhì)量薄膜制備。
產(chǎn)品核心參數(shù)
- 等離子體源類型： 射頻電容耦合等離子體（RF-CCP）
- 射頻頻率： 13.56 MHz（標(biāo)準(zhǔn)，可定制其他頻率）
- 射頻功率： 0 ~ 2000W（可調(diào)，根據(jù)型號(hào)不同）
- 真空腔體材質(zhì)： 不銹鋼，內(nèi)壁鏡面拋光
- 極限真空度： ≤ 6.67×10⁻⁵ Pa（5.0×10⁻⁷ Torr）
- 工作壓力范圍： 0.1 Pa ~ 10 Pa
- 基片尺寸： 支持2英寸至8英寸圓片或相應(yīng)尺寸方形基片（可定制）
- 基片溫控： 室溫 ~ 500℃（可選配更高溫度）
- 氣體通道： 多路質(zhì)量流量計(jì)（MFC）控制，通常為4-8路
- 控制系統(tǒng)： PLC + 觸摸屏，可選配計(jì)算機(jī)監(jiān)控系統(tǒng)
- 可沉積薄膜： SiO₂， SiNx， a-Si， DLC及多種化合物薄膜
使用注意事項(xiàng)
- 安全操作： 設(shè)備涉及高電壓、射頻輻射及真空系統(tǒng)，操作人員必須經(jīng)過嚴(yán)格培訓(xùn)，并遵守電氣安全與真空操作規(guī)范。接地必須可靠。
- 環(huán)境要求： 設(shè)備應(yīng)安裝在潔凈度較高、無強(qiáng)電磁干擾、振動(dòng)小的環(huán)境中。保持室內(nèi)溫濕度穩(wěn)定（建議溫度：20-25℃，濕度：<60%）。
- 氣體與真空： 使用高純度工藝氣體（如99.999%以上）。定期檢查真空泵油位及狀態(tài)，維護(hù)分子泵等核心真空部件。通入反應(yīng)氣體前，必須確保本底真空達(dá)到要求。
- 射頻系統(tǒng)： 嚴(yán)禁在未連接匹配器或負(fù)載的情況下開啟射頻電源，以免損壞電源。注意匹配器的調(diào)諧狀態(tài)，確保反射功率最小。
- 腔體清潔： 定期進(jìn)行腔體清潔，防止顆粒污染和薄膜剝落物影響成膜質(zhì)量與真空度。清潔時(shí)需佩戴無塵手套，使用指定溶劑。
- 維護(hù)保養(yǎng)： 嚴(yán)格按照廠家提供的維護(hù)周期，對機(jī)械泵、羅茨泵、分子泵、射頻匹配器、密封圈等部件進(jìn)行檢查、更換或保養(yǎng)。
- 工藝開發(fā)： 不同材料工藝參數(shù)（功率、壓力、氣體比例、溫度等）差異巨大，需通過實(shí)驗(yàn)優(yōu)化，不建議直接套用其他設(shè)備的參數(shù)。
- 緊急情況： 熟悉急停按鈕位置。發(fā)生異常（如真空泄漏、異常放電、煙霧等）應(yīng)立即停機(jī)，關(guān)閉氣源和電源，并按照應(yīng)急預(yù)案處理。
以上信息基于該系列設(shè)備的通用技術(shù)特征，具體型號(hào)的詳細(xì)參數(shù)與操作規(guī)范，請務(wù)必以上海雙旭電子有限公司提供的官方技術(shù)文檔為準(zhǔn)。 |
