DH2008系列 微波CVD薄膜制備裝置參數【上海雙旭】
上海雙旭DH2008系列微波CVD薄膜制備裝置參數
制造商：上海雙旭
核心產品參數
- 型號：DH2008系列
- 微波頻率：2.45 GHz
- 微波功率：0~2000W連續(xù)可調
- 反應室材料：石英或不銹鋼，帶水冷系統(tǒng)
- 極限真空度：≤6.67×10-3 Pa
- 工作氣壓范圍：10~103 Pa
- 基片加熱溫度：室溫~800℃（可定制更高溫度）
- 溫度控制精度：±1℃
- 氣路系統(tǒng)：多路質量流量計（MFC）控制，通常為3-4路
- 適用氣體：CH4, H2, Ar, N2, O2等
- 基片尺寸：通常支持直徑≤4英寸（可定制）
- 控制系統(tǒng)：PLC或計算機自動控制，觸摸屏人機界面
使用注意事項
- 安全防護：設備運行時產生高強度微波，嚴禁打開爐門或破壞微波屏蔽裝置，防止微波泄漏傷害。
- 真空系統(tǒng)：開機前檢查機械泵油位及油質，定期維護。破空進入反應室時，必須使用惰性氣體（如Ar、N2），防止樣品氧化。
- 氣體操作：使用易燃易爆或有毒氣體（如H2、CH4）時，必須確保氣路密封良好，實驗室通風系統(tǒng)完備，并配備氣體泄漏報警裝置。
- 冷卻系統(tǒng)：確保微波源（磁控管）及反應室水冷循環(huán)始終暢通，水溫、水壓正常，防止設備過熱損壞。
- 樣品與清潔：放置基片需使用專用工具，避免污染反應室內壁。定期清潔反應室，去除沉積物，以維持真空度和薄膜質量。
- 電源要求：需接入穩(wěn)定三相電源，接地必須可靠。非專業(yè)人員不得拆卸電氣部分。
- 操作培訓：操作人員必須經過嚴格培訓，熟悉設備操作規(guī)程及緊急情況（如停水、停電、漏氣）處理流程后方可上機。
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